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IXFK 120N25P
IXFX 120N25P
120
Fig. 1. Output Characte ris tics
@ 25 o C
250
Fig. 2. Exte nde d Output Characte r is tics
@ 25 o C
110
100
V GS = 10V
9V
225
200
V GS = 10V
9V
90
80
175
70
8V
150
60
125
8V
50
40
7V
100
75
7V
30
20
10
0
6V
50
25
0
6V
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
120
V D S - V olts
Fig. 3. Output Characte ris tics
@ 150 o C
2.8
V D S - V olts
Fig. 4. R DS(on ) Norm alize d to 0.5 I D25
V alue vs . Junction Te m pe ratur e
110
100
90
V GS = 10V
9V
8V
2.5
2.2
V GS = 10V
80
70
60
50
40
30
20
10
0
7V
6V
5V
1.9
1.6
1.3
1
0.7
0.4
I D = 120A
I D = 60A
0
1
2
3
4
5
6
7
8
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
3.8
V D S - V olts
Fig. 5. R DS(on) Norm alize d to 0.5 I D25
V alue vs . Dr ain Curr e nt
90
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Drain Curre nt vs . Cas e
Te m pe rature
3.4
3
V GS = 10V
V GS = 15V - - - -
T J = 150 o C
80
70
External Lead C urrent Lim it
2.6
60
50
2.2
40
1.8
1.4
30
20
1
0.6
T J = 25 o C
10
0
0
30
60
90
120
150
180
210
240
270
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I D - A mperes
? 2006 IXYS All rights reserved
T C - Degrees Centigrade
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IXFX120N30T 功能描述:MOSFET 120V 300V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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IXFX140N25T 功能描述:MOSFET 140A 250V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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IXFX150N30P3 功能描述:MOSFET N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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