收藏本站
IXFK 120N25P
IXFX 120N25P
120
Fig. 1. Output Characte ris tics
@ 25 o C
250
Fig. 2. Exte nde d Output Characte r is tics
@ 25 o C
110
100
V GS = 10V
9V
225
200
V GS = 10V
9V
90
80
175
70
8V
150
60
125
8V
50
40
7V
100
75
7V
30
20
10
0
6V
50
25
0
6V
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
120
V D S - V olts
Fig. 3. Output Characte ris tics
@ 150 o C
2.8
V D S - V olts
Fig. 4. R DS(on ) Norm alize d to 0.5 I D25
V alue vs . Junction Te m pe ratur e
110
100
90
V GS = 10V
9V
8V
2.5
2.2
V GS = 10V
80
70
60
50
40
30
20
10
0
7V
6V
5V
1.9
1.6
1.3
1
0.7
0.4
I D = 120A
I D = 60A
0
1
2
3
4
5
6
7
8
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
3.8
V D S - V olts
Fig. 5. R DS(on) Norm alize d to 0.5 I D25
V alue vs . Dr ain Curr e nt
90
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Drain Curre nt vs . Cas e
Te m pe rature
3.4
3
V GS = 10V
V GS = 15V - - - -
T J = 150 o C
80
70
External Lead C urrent Lim it
2.6
60
50
2.2
40
1.8
1.4
30
20
1
0.6
T J = 25 o C
10
0
0
30
60
90
120
150
180
210
240
270
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I D - A mperes
? 2006 IXYS All rights reserved
T C - Degrees Centigrade
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
IXFX120N30T MOSFET N-CH 120A 300V PLUS247
IXFX140N25T MOSFET N-CH 140A 250V PLUS247
IXFX170N20T MOSFET N-CH 170A 200V PLUS247
IXFX200N10P MOSFET N-CH 100V 200A PLUS247
IXFX210N17T MOSFET N-CH 210A 170V PLUS247
IXFX24N100 MOSFET N-CH 1000V 24A PLUS 247
IXFX250N10P MOSFET N-CH 100V 250A PLUS247
IXFX260N17T MOSFET N-CH 260A 170V PLUS247
相关代理商/技术参数
IXFX120N30P3 功能描述:MOSFET N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFX120N30T 功能描述:MOSFET 120V 300V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFX12N90Q 功能描述:MOSFET 12 Amps 900V 0.9W Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFX140N25T 功能描述:MOSFET 140A 250V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFX140N30P 功能描述:MOSFET 140 Amps 300V 0.024 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFX14N100 功能描述:MOSFET 14 Amps 1000V 0.75 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFX150N15 功能描述:MOSFET 150 Amps 150V 0.0125 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFX150N30P3 功能描述:MOSFET N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube